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預加熱滑動PECVD系統_1200℃_實驗爐，PECVD系統可以用于二維材料制備、石墨烯生長、TMDs材料制備、二硫化鉬、薄膜材料制備、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金剛石薄膜、金屬涂層、碳納米管生長、Zn0納米結構生長、新晶體材料、陶瓷纖維、陶瓷電容氣氛燒結、非晶態合金、粉體材料氣氛燒結、等離子表面改性等離子聚合、等離子清洗等

預加熱PECVD設備_1200℃_實驗爐，PECVD集成系統是一套完備的集成控制Plasma增強化學氣相沉積系統(PECVD)，在傳統CVD系統的前端加入RF射頻感應裝置將反應氣體電離，形成等離子體，利用等離子體的活性來促進反應，降低CVD反應溫度，沉積速度快，成膜質量好。

滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區 此款設備是一套化學氣相沉積生長系統，可包含加熱系統、控溫系統、滑動裝置、質量氣體流量控制、真空控制系統、預加熱系統等模塊，根據工藝要求多模塊自由組合，并可擴展升級配置，節約成本。適用于多種經典化學氣相沉積工藝。

1200℃,CVD設備,化學氣相沉積爐,實驗室電爐，CVD集成系統是一套完備的集成控制的CVD系統，控制部分采用了中環自主研發的實驗電爐 A10智能控制系統，使得操作更加簡便，可實現沉積生長過程自動化集成控制，重復精度高，操作簡單，提高效率，降低成本。適用于經典化學氣相沉積工藝。

化學氣相沉積爐由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶需要設計生產，CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業外，現在正在使用在許多行業，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發、涂料等領域。

化學氣相沉積設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶需要設計生產，CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業外，現在正在使用在許多行業，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發、涂料等領域。